マイクロン・テクノロジ

提供: miniwiki

移動先:案内、検索

マイクロン・テクノロジ(英: Micron Technology)は、アメリカ合衆国アイダホ州ボイシ市に本社を置く、半導体製造の多国籍企業である。

なお、ナスダックで上場されている同社の株式はナスダック100指数の銘柄の一つにも成っている。

Contents

1 詳細
- 1.1 日本法人
2 新型メモリの開発
3 沿革
4 注釈
5 出典
6 関連項目
7 外部リンク

詳細

ファイル:Crucial SSD MX300 525GB-8478.jpg

「クルーシャル」ブランドのエンドユーザー向けSSD

マイクロン・テクノロジは、1978年 10月23日に、デニス・ウィルソンとダグ・ピットマンとジョー・パーキンソンの3人のエンジニアおよび弁護士であったウォード・パーキンソン(初代CEO)により^{[R 1]}、モステック向けの^{[R 2]}半導体製品の設計会社としてアメリカ合衆国アイダホ州ボイシ市の西部にあった歯科医院の建物の地下室にて創業された^{[R 3]}。

現在では、同社はコンピューターにおける主記憶・ストレージ用の各種半導体メモリ(DRAMやフラッシュメモリとそれらの搭載製品群)を開発・製造・販売している^{[R 4]}。ただし、エンドユーザー向けの製品はクルーシャル・テクノロジやバリスティクス・ゲーミングのブランドで製造・販売されている。

なお、同社は、2012年から毎年連続でTop100グローバル・イノベーターに選ばれ^{[R 5]}、研究開発では2014年時点で世界第8位と多額の投資を行っている^{[R 6]}。同社は、ガートナーから発表された2014年の半導体メーカー売上高ランキングでは、垂直統合型デバイスメーカー(IDM)としては世界第4位の市場シェアを持つ^{[R 7]}。

また、インテルと共同設立したIM・フラッシュ・テクノロジーズがフラッシュメモリの製造を行っている。さらに、KTIセミコンダクターの買収で既にDRAMの開発研究拠点を築いていた日本で、更にエルピーダメモリ^{[R 8]}を買収したことで、メインフレーム・ワークステーション・PCなどの汎用DRAMの他に、モバイル用のDRAM^{[C 1]}もラインナップに加わった。

日本法人

日本国内に登記されているマイクロン・テクノロジの子会社は2系統存在する。

神戸製鋼所とテキサス・インスツルメンツ(TI)からの流れを汲むマイクロンジャパン(MJP)(【旧】KTIセミコンダクター)^{[R 9]}
日本電気と日立製作所および三菱電機からの流れを汲むマイクロンメモリジャパン(MMJ)(【旧】エルピーダメモリ)^{[R 10]}^{[R 11]}

新型メモリの開発

2015年7月28日に、マイクロン・テクノロジはインテルと共同で、ハイブリッドメモリキューブ(HMC)という新型メモリを発表した^{[R 12]}^{[R 13]}。

これは以下の特徴を有している。

不揮発性メモリセルの採用^{[C 2]}
3D XPoint^{[R 14]}^{[R 15]}^{[R 16]}^{[R 17]}
- 複数層に積層した3次元構造のメモリセル配列(集積度の向上)
- トランジスター型ではなくクロスポイント型のメモリアレイの採用(メモリセルの高密度化とコストパフォーマンスの向上)
DRAM比で10倍の集積度
NANDフラッシュメモリ比で最大1000倍のスイッチング速度および耐久性
市松格子パターンのメモリセル配列の採用(ノイズに因る影響の低減)

沿革

1978年10月23日 ‐ ウォード・パーキンソンをCEOとして半導体設計のコンサルティング会社という業態で創業される^{[R 3]}
1980年 ‐ アイダホのポテト王として知られるジョン・リチャード・シンプロット（English版）に買収される^{[R 18]}
1981年 ‐ トーマス・ニコルソン(2005年まで取締役を務める^{[R 19]})が提供した土地に初の半導体製造工場を完成させる^{[R 3]}
1982年 ‐ DRAM事業に参入する^{[R 3]}
1984年 ‐ ナスダックに株式を上場する^{[R 3]}
1990年11月30日 ‐ ニューヨーク証券取引所に株式を上場する^{[R 3]}
1991年 ‐ 大容量の主記憶を搭載したPCの廉価での供給を目的として子会社エッジ・テクノロジを設立する
1994年9月 ‐ ウォード・パーキンソンが、ジョン・リチャード・シンプロットとの対立の末に、CEOを辞任し^{[R 3]}、その後任として、スティーヴン・アップルトン（English版）がCEOに就任する。
1996年 ‐ ジョン・リチャード・シンプロットが出資を引き上げ始める^{[R 20]}^{[R 21]}。
1996年 ‐ マイクロン・コンピューターとマイクロン・カスタム・マニュファクチャリング・サービシーズ(MCMS)およびZEOS・インターナショナルをマイクロン・エレクトロニクスとして統合する
1996年 ‐ エンドユーザーへの販売と市場対応の子会社をクルーシャル・テクノロジとして設立する
1998年 ‐ テキサス・インスツルメンツより半導体メモリ事業(DRAM事業を主力としていた)を買収する
2000年 ‐ 科学技術教育とコミュニティ組織支援を目的として、子会社マイクロン・テクノロジ・ファウンデーションを設立する
2001年 ‐ CMOSイメージセンサーの開発企業であったフォトビットを買収しCMOSイメージセンサー事業に参入する
2001年2月16日 ‐ 神戸製鋼所とテキサス・インスツルメンツの合弁会社であったKTIセミコンダクター^{[C 3]}をKMTセミコンダクターとして子会社化する^{[R 9]}^{[R 22]}^{[R 23]}
2002年 ‐ インターナショナル・ビジネス・マシンズ(IBM)と東芝のジョイントベンチャーであったドミニオン・セミコンダクターを買収する^{[C 4]}^{[R 24]}^{[R 25]}^{[R 26]}
2002年4月 ‐ KMTセミコンダクターの株式を全て買い取って同社を子会社マイクロンジャパンとする^{[R 27]}
2004年 ‐ NAND型フラッシュメモリ事業に参入する
2005年 ‐ NAND型フラッシュメモリの開発・製造の合弁会社設立でインテルと合意する
2006年 ‐ インテルと共同でIM・フラッシュ・テクノロジーズを設立する
2006年 ‐ フラッシュメモリの製品ポートフォーリオ拡充のため、レキサー・メディアを買収する(マイクロン・コンシューマー・プロダクツ・グループ傘下)
2008年3月4日 ‐ CMOSイメージセンサー事業を子会社アプティナ・イメージングとして分離する^{[R 28]}^{[R 29]}^{[R 30]}^{[R 31]}
2009年 ‐ 子会社アプティナ・イメージングの株式の大半を投資ファンドに売却してCMOSイメージセンサー事業から事実上撤退する
2010年 ‐ ニューモニクス(インテルとSTマイクロエレクトロニクスの合弁会社)をマイクロン・セミコンダクター・イタリア(MIT)として買収し^{[R 32]}^{[R 33]}てNOR型フラッシュメモリ事業に参入する
2012年2月3日 ‐ CEOのスティーヴン・アップルトンが自家用飛行機搭乗中の事故で急逝する^{[R 34]}^{[R 35]}^{[R 36]}。これに伴って、エルピーダメモリとの統合交渉は白紙となる^{[R 37]}。
2012年2月4日 ‐ ダーモット・マーク・ダーカン（English版）がCEOに就任する。
2012年7月2日 ‐ エルピーダメモリとのスポンサー契約に合意する^{[R 38]}^{[R 39]}。
2013年7月31日 ‐ エルピーダメモリの株式と共に力晶半導体が所有する瑞晶電子の株式の買い取りも行い、それぞれをマイクロンメモリジャパンとマイクロン・メモリ・台湾(MMT)として傘下に収める^{[R 40]}^{[R 41]}
2013年10月10日 ‐ エルピーダメモリの買収に伴う利益を14億8400万ドルであると発表する^{[R 42]}
2015年7月28日 ‐ インテルと共同で新型の半導体メモリを発表する^{[R 17]}^{[R 14]}^{[R 16]}^{[R 15]}^{[R 17]}
2017年6月26日 - レキサーブランドからの撤退を発表する。^[1]

注釈

↑ モバイル用DRAMは要求仕様が顧客ごとに異なり、価格も市況で決まるのではなく、顧客との交渉や採用製品内のコスト構成比で決まる。一方で、PC用DRAMでは市場価格をベンチマークにして、数週間単位で価格の見直しが行われる。
↑ 材料や情報の記憶動作原理は公表されていない。
↑ テキサス・インスツルメンツの半導体メモリ事業の買収で実質的に神戸製鋼所との合弁会社となっていた
↑ マイクロン・テクノロジに買収される直前までは、東芝がIBMの出資持株全額を買い取って全額当社出資の子会社にしていた。

出典

↑ https://www.micron.com/about/blogs/2017/june/micron-discontinuing-lexar-removable-storage-retail-business

関連項目

マイクロンジャパン(【旧】KMTセミコンダクター|KTIセミコンダクター)・マイクロンメモリジャパン(【旧】エルピーダメモリ)
クルーシャル・テクノロジ・バリスティクス・ゲーミング
テキサス・インスツルメンツ・神戸製鋼所
イスラエル・コーポレーション・タワージャズ(タワー・セミコンダクター)・タワージャズジャパン
力晶半導体・瑞晶電子
インフィニオン・テクノロジーズ・キマンダ
インテル・STマイクロエレクトロニクス・ニューモニクス・IM・フラッシュ・テクノロジーズ
東芝・インターナショナル・ビジネス・マシンズ・ドミニオン・セミコンダクター
アプティナ・イメージング
フォトビット
揮発性メモリ
- SRAM
- DRAM
  - SDRAM・DDR SDRAM・DDR2 SDRAM・DDR3 SDRAM
  - GDDR SGRAM・GDDR2 SGRAM・GDDR3 SGRAM・GDDR4 SGRAM・GDDR5 SGRAM
  - LPDDR DRAM・LPDDR2 DRAM・LPDDR3 DRAM・LPDDR4 DRAM
  - Wide I/O DRAM・Wide I/O 2 DRAM
  - RDRAM・XDR DRAM
  - RLDRAM・Z-RAM
不揮発性メモリ
- フラッシュメモリ (NAND・NOR)
- 3D XPoint（詳細については企業秘密もあって不明な所があり、従来のReRAMとは異なったものだと発表されているが、ReRAMの一種だと評する向きもある）
- SONOS
- PCRAM・FeRAM・MRAM・STT-RAM・ReRAM・CBRAM
- NRAM・T-RAM・TTRAM
- nvSRAM
CMOSイメージセンサ

外部リンク

Micron Technology, Inc. | Memory and Storage Solutions （英語）
Enterprise SSD Storage from Micron Technology （英語）
Investor Relations （英語）
Investor Relations （英語）
Micron Financial Accounting - Vendor Portal （英語）
Model N High Tech Revenue Management （英語）
Micron Sample Center （英語）
Jobs at Micron （英語）
Students （英語）
Micron CPG Partner Portal （英語）
MU stock quote - Micron Technology, Inc. stock price （英語）
Crucial.com （英語）
Ballistix Gaming （英語）
IM Flash （英語）

テンプレート:ナスダック100指数

典拠レコード: VIAF: 136486448 | LCCN: nr95004023 | WorldCat: LCCN連携

「http:///http:///mymemo.xyz/mymemo.xyz/wiki/index.php?title=マイクロン・テクノロジ&oldid=268916」から取得

案内メニュー