「ゲルマニウム」の版間の差分
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| − | 元素記号 Ge ，原子番号 32，原子量 72.61。周期表 14族，[[炭素族元素]]の1つ。単体は灰白色の硬い半金属。融点 958.5℃，比重 5.35。空気中では安定。赤熱温度以上で酸化される。塩酸，希硫酸に不溶。王水，アルカリ溶液 (過酸化水素を含む) に可溶。原子価は4価。[[ダイヤモンド型構造]]をもつ典型的な半導体。間接遷移型のエネルギー帯構造をとり，常温での禁制帯幅は 0.66eV。5価の不純物原子を加えるとn型半導体となり，3価の不純物原子を加えるとp型半導体となる。 D. | + | 元素記号 Ge ，原子番号 32，原子量 72.61。周期表 14族，[[炭素族元素]]の1つ。単体は灰白色の硬い半金属。融点 958.5℃，比重 5.35。空気中では安定。赤熱温度以上で酸化される。塩酸，希硫酸に不溶。王水，アルカリ溶液 (過酸化水素を含む) に可溶。原子価は4価。[[ダイヤモンド型構造]]をもつ典型的な半導体。間接遷移型のエネルギー帯構造をとり，常温での禁制帯幅は 0.66eV。5価の不純物原子を加えるとn型半導体となり，3価の不純物原子を加えるとp型半導体となる。 [[D.メンデレーエフ]]によりエカシリコンとして存在が予想され，1886年 C.ウィンクラーによって発見された。地殻の平均含有量は 1.4ppm。石炭，硫化鉱物中に比較的濃縮されて存在する。工業上の資源は亜鉛精錬工場の煙灰。 1947年にベル電話研究所の [[W.B.ショクリー]]，[[J.バーディーン]]，[[W.H.ブラッティン]]らが，n型ゲルマニウムで初めて点接触トランジスタを発明，固体エレクトロニクスの時代を開いた。現在は，半導体材料としてはケイ素が主として用いられているが，ゲルマニウムはケイ素に比べて順方向の立上がり電圧が低い，キャリアの移動度が高い，長波長の光に対しても感度を示すなどの特性を利用してダイオード，トランジスタ，赤色ケイ光体への用途を開いているほか，歯科用合金，赤外線透過ガラスの製造などに使われている。 |
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ゲルマニウム（英語: germanium[1] [dʒərˈmeɪniəm]）
元素記号 Ge ，原子番号 32，原子量 72.61。周期表 14族，炭素族元素の1つ。単体は灰白色の硬い半金属。融点 958.5℃，比重 5.35。空気中では安定。赤熱温度以上で酸化される。塩酸，希硫酸に不溶。王水，アルカリ溶液 (過酸化水素を含む) に可溶。原子価は4価。ダイヤモンド型構造をもつ典型的な半導体。間接遷移型のエネルギー帯構造をとり，常温での禁制帯幅は 0.66eV。5価の不純物原子を加えるとn型半導体となり，3価の不純物原子を加えるとp型半導体となる。 D.メンデレーエフによりエカシリコンとして存在が予想され，1886年 C.ウィンクラーによって発見された。地殻の平均含有量は 1.4ppm。石炭，硫化鉱物中に比較的濃縮されて存在する。工業上の資源は亜鉛精錬工場の煙灰。 1947年にベル電話研究所の W.B.ショクリー，J.バーディーン，W.H.ブラッティンらが，n型ゲルマニウムで初めて点接触トランジスタを発明，固体エレクトロニクスの時代を開いた。現在は，半導体材料としてはケイ素が主として用いられているが，ゲルマニウムはケイ素に比べて順方向の立上がり電圧が低い，キャリアの移動度が高い，長波長の光に対しても感度を示すなどの特性を利用してダイオード，トランジスタ，赤色ケイ光体への用途を開いているほか，歯科用合金，赤外線透過ガラスの製造などに使われている。